150-mA Ultra Low-Noise LDO Regulator With Discharge Option The SI91841DT-30-T1 is a power MOSFET manufactured by SILICONIX (now part of Vishay). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SILICONIX (Vishay)  
- **Part Number:** SI91841DT-30-T1  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SI91841DT-30-T1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  
- The TO-252 (DPAK) package provides efficient thermal performance and is commonly used in surface-mount applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **High Current Capability:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet from Vishay/SILICONIX.

150-mA Ultra Low-Noise LDO Regulator With Discharge Option **Manufacturer:** VISHAY  

**Part Number:** SI91841DT-30-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 30A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 9.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The SI91841DT-30-T1 is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching and amplification circuits.  

### **Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal performance due to PowerPAK® SO-8 package  
- RoHS compliant  

(Source: Vishay datasheet for SI91841DT-30-T1)