**Part Number:** SI9185DMP-AD-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 28mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 38mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI9185DMP-AD-T1 is a high-performance N-Channel MOSFET from Vishay’s TrenchFET® Gen IV series. It is designed for low-voltage applications requiring high efficiency and power density.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching applications  
- Low gate charge (Q_G) for improved efficiency  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- AEC-Q101 qualified for automotive applications  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

This information is based on Vishay’s official datasheet for the SI9185DMP-AD-T1.