### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 0.045Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per channel)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- Dual MOSFET configuration in a compact SOIC-8 package.  

For exact datasheet details, refer to the official Vishay/Siliconix documentation.