### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant**  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, load switching  

This MOSFET is designed for high-performance power applications with improved thermal and electrical characteristics.