20-V (D-S) Single The part **SI9400DY** is manufactured by **SILICONIX** (now part of Vishay). Here are the specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**
- A **P-Channel** enhancement-mode MOSFET designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- Optimized for **power management** in portable electronics, battery protection, and load switching.  
- Features **low on-resistance** and **fast switching speeds**.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling** capability in a compact SO-8 package.  
- **Fast switching performance** for efficient power conversion.  
- **Logic-level compatible** gate drive (fully enhanced at -4.5V).  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation. For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet.