N-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI9410BDY-T1 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI9410BDY-T1  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20 A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.042 Ω @ V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI9410BDY-T1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It utilizes Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, offering low on-resistance and high efficiency.  
- Suitable for switching applications in DC-DC converters, load switches, and power management circuits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(ON)):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in demanding conditions.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Lead (Pb)-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.