N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET The SI9422DY is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI9422DY  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** SO-8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 15nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The SI9422DY is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- SO-8 package for compact PCB design  
- Suitable for battery-powered and portable applications  
- Robust thermal performance  

This information is based on Vishay's datasheet for the SI9422DY. For precise application details, refer to the official documentation.