### **Specifications:**  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Voltage (Vds):** -20V  
- **Current (Id):** -4.3A  
- **Power Dissipation (Pd):** 1.4W  
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.1Ω (max) @ Vgs = -4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (Vgs(th)):** -1V (max)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for power management in portable devices.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's documentation.