TELECOMMUNICATIONS PRODUCTS **Manufacturer:** ROHM  

**Part Number:** T11-12  

### **Specifications:**  
- **Type:** Transistor  
- **Package:** TO-220F  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V  
- **Maximum Collector Current (IC):** 12A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 (min)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The T11-12 is an NPN power transistor designed for high-current and medium-voltage applications. It is suitable for switching and amplification purposes in power supplies, motor control, and other industrial applications.  

### **Features:**  
- High current capability (12A)  
- Low saturation voltage  
- High power dissipation (50W)  
- TO-220F package for efficient heat dissipation  
- Suitable for high-reliability applications  

This information is based on ROHM's datasheet for the T11-12 transistor.

TELECOMMUNICATIONS PRODUCTS The part T11-12 is manufactured by DIODES. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** DIODES  
- **Part Number:** T11-12  
- **Type:** Schottky Diode  
- **Voltage Rating (Vr):** 20V  
- **Current Rating (If):** 1A  
- **Forward Voltage (Vf):** 0.38V (typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** 0.5mA (maximum at 20V)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  
- **Package:** SOD-123  

### **Descriptions:**  
- The T11-12 is a Schottky barrier diode designed for high efficiency and low forward voltage drop.  
- It is commonly used in power rectification, switching applications, and reverse polarity protection.  

### **Features:**  
- Low forward voltage drop for reduced power loss.  
- High current capability in a compact SOD-123 package.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for surface-mount applications.  

This information is based solely on the provided knowledge base.