T2333

### **Specifications:**  
- **Type:** Power Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 10W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40–320  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for power supply circuits, motor control, and audio amplifiers.  
- TO-220 package ensures good thermal performance.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba’s official documentation.