### **Specifications:**  
- **Type:** Power Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 10W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40–320  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for power supply circuits, motor control, and audio amplifiers.  
- TO-220 package ensures good thermal performance.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba’s official documentation.

**Specifications:**  
- **Type:** Transistor  
- **Material:** Silicon  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High-speed switching capability.  
- Low noise performance.  
- Encased in a TO-92 package for easy mounting.  
- Suitable for consumer electronics, industrial controls, and communication devices.  

For exact performance characteristics, refer to the official TOS datasheet.