TC55V1664BFT-10

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM The TC55V1664BFT-10 is a 16M (1M x 16) CMOS Dynamic RAM (DRAM) manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 1,048,576 words × 16 bits  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Operating Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Package:** 54-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Refresh Cycles:** 4,096 cycles every 64 ms  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Interface:** LVTTL (Low Voltage TTL) compatible  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 16 Megabit (1M × 16)  
- **Burst Mode Support:** Yes (programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page)  
- **CAS Latency:** Programmable (2 or 3 cycles)  
- **Auto Refresh & Self Refresh Modes:** Supported  

### **Features:**  
- **High-Speed Operation:** 100 MHz clock frequency  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes  
- **Single 3.3V Power Supply**  
- **Fully Synchronous Operation:** All signals referenced to a positive clock edge  
- **Burst Read/Write Operations**  
- **Auto Precharge Function**  
- **Industrial Standard Pinout**  

This DRAM is commonly used in applications requiring high-speed memory, such as networking devices, embedded systems, and consumer electronics.  

(Source: Toshiba datasheet for TC55V1664BFT-10)

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 65,536-WORD BY 16 BIT CMOS STATIC RAM