TC58DVG02A1FT00

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS The **TC58DVG02A1FT00** is a NAND Flash Memory IC manufactured by **Toshiba** (now Kioxia). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 2Gb (256MB)  
- **Interface:** Asynchronous  
- **Organization:**  
  - Page Size: 2,112 bytes (2,048 + 64 spare)  
  - Block Size: 128KB (64 pages per block)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  
- **Package:** TSOP-48  

### **Descriptions:**  
- The **TC58DVG02A1FT00** is a **2Gb SLC (Single-Level Cell)** NAND Flash memory chip designed for high-performance and reliable data storage.  
- It supports **asynchronous operation**, making it suitable for embedded systems, industrial applications, and consumer electronics.  
- Includes **on-chip ECC (Error Correction Code)** for improved data integrity.  

### **Features:**  
- **High Reliability:** SLC NAND ensures longer endurance and better performance compared to MLC/TLC.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Fast Read/Write Performance:**  
  - Page Read Time: **25µs (max)**  
  - Page Program Time: **200µs (typical)**  
  - Block Erase Time: **2ms (typical)**  
- **Hardware Data Protection:** Write-protect feature and power-on reset.  
- **Compatibility:** Supports standard NAND Flash command sets.  

This information is based on Toshiba's (Kioxia) datasheet and industry specifications. For exact details, refer to the official documentation.

TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS