TC59S6404BFT-80

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC The TC59S6404BFT-80 is a synchronous DRAM (SDRAM) manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 64Mbit (4M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 Banks × 1M words × 16 bits  
- **Speed Grade:** -80 (12.5ns access time, 125MHz operating frequency)  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Interface:** LVTTL  
- **Package:** 54-pin TSOP (Type II)  

### **Descriptions:**
- The TC59S6404BFT-80 is a high-speed CMOS synchronous DRAM designed for high-performance memory applications.  
- It supports burst read/write operations and auto-refresh/self-refresh modes.  
- It is compatible with JEDEC standards for SDRAM.  

### **Features:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled commands and data transfer.  
- **Burst Mode Support:** Programmable burst lengths (1, 2, 4, 8, or full page).  
- **Auto Precharge:** Supports auto precharge for efficient bank management.  
- **CAS Latency Options:** 2 or 3 cycles.  
- **Low Power Consumption:** Standby and power-down modes available.  
- **Single 3.3V Power Supply.**  
- **Fully Compatible with PC100/PC133 SDRAM standards.**  

This information is based on Toshiba's official documentation for the TC59S6404BFT-80 SDRAM.

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC