TC59S6416BFT-10

1,048,576-words x 4BANKS x 16-BITS synchronous dynamic RAM The **TC59S6416BFT-10** is a **64M (4M × 16-bit) CMOS Synchronous DRAM** manufactured by **TOSHIBA**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 4M words × 16 bits  
- **Density:** 64Mbit  
- **Supply Voltage:** 3.3V ± 0.3V  
- **Access Time:** 10ns (CL=3)  
- **Clock Frequency:** 100MHz  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3 (programmable)  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, full page (programmable)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 54-pin TSOP (Type II)  

### **Descriptions:**
- **Synchronous Operation:** Clock-controlled commands and data transfer.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports both modes for power efficiency.  
- **Burst Read/Write:** Supports sequential and interleaved burst modes.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Low power consumption.  
- **Fully Compatible with JEDEC Standards:** Follows industry-standard SDRAM specifications.  

### **Features:**
- **Programmable Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page.  
- **CAS Latency Options:** 2 or 3 cycles.  
- **Auto Precharge:** Supports auto precharge for efficient operation.  
- **Data Mask (DQM) Control:** Controls byte-wise read/write operations.  
- **Low Power Standby Mode:** Reduces power consumption when inactive.  

This SDRAM is designed for high-performance applications requiring fast data access and efficient memory management.

1,048,576-words x 4BANKS x 16-BITS synchronous dynamic RAM