TD6134AF

### **Specifications:**  
- **Type:** Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)  
- **Configuration:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 82 to 390 (depending on conditions)  
- **Built-in Resistors:**  
  - R1 (Base Resistor): 10kΩ  
  - R2 (Base-Emitter Resistor): 10kΩ  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TD6134AF is a digital transistor with built-in bias resistors, simplifying circuit design by reducing external component count.  
- It is designed for switching and amplification in low-power applications.  

### **Features:**  
- **Compact Design:** Integrates resistors for space-saving PCB layouts.  
- **Improved Noise Immunity:** Built-in resistors enhance stability.  
- **Wide hFE Range:** Suitable for various amplification requirements.  
- **SOT-23 Package:** Small surface-mount form factor.  

For exact performance characteristics, refer to the **Toshiba datasheet**.