### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Phototransistor  
- **Wavelength Range:** 400 nm to 1100 nm  
- **Peak Sensitivity Wavelength:** 850 nm  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 30 V  
- **Emitter-Collector Voltage (V_ECO):** 5 V  
- **Collector Current (I_C):** 20 mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 75 mW  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** Surface-Mount (SMD), 2-Pin  
- **Viewing Angle:** ±60°  

### **Descriptions and Features:**  
- High sensitivity to infrared (IR) light at 850 nm.  
- Suitable for applications requiring fast response times.  
- Compact SMD package for space-constrained designs.  
- Used in light barriers, optical switches, and proximity sensing.  
- RoHS compliant.  

For detailed electrical and optical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.