Serial Infrared Transceiver SIR, 115.2 kbit/s, 2.7 V to 5.5 V Operation The **TFBS4710-TR1** is a **N-Channel MOSFET** manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (Ta = 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 50mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 520pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 15ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **TFBS4710-TR1** is a **Power MOSFET** designed for **high-efficiency switching applications**. It is optimized for **low-voltage, high-speed switching** in power management circuits, DC-DC converters, motor control, and battery protection systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON))** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements  
- **Avalanche energy rated** for rugged performance  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant**  
- **Available in a compact **TSOP-6** package**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and does not include recommendations or usage guidance.