### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Darlington Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -2A  
- **Peak Collector Current (I_CM):** -4A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (min)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- **High DC Current Gain (h_FE):** Ensures high amplification capability.  
- **Low Saturation Voltage:** Improves efficiency in switching applications.  
- **Built-in Base-Emitter Resistor:** Enhances stability and reduces leakage current.  
- **Applications:** Used in power switching, relay drivers, motor control, and linear amplification circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to the official STMicroelectronics documentation.