PNP Epitaxial Darlington Transistor The TIP126TU is a PNP Darlington transistor manufactured by Fairchild Semiconductor.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Darlington Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -5A (continuous)  
- **Peak Collector Current (I_CM):** -8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 65W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (min) at I_C = -3A  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, high-voltage switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High DC current gain (h_FE).  
- Suitable for power amplification and switching in industrial and consumer applications.  
- Built-in base-emitter shunt resistors for improved performance.  

For detailed datasheet information, refer to Fairchild Semiconductor's official documentation.

PNP Epitaxial Darlington Transistor

PNP Epitaxial Darlington Transistor The TIP126TU is a PNP Darlington transistor manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Darlington Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -5A (continuous)  
- **Peak Collector Current (ICM):** -8A  
- **Power Dissipation (PD):** 65W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (hFE):** 1000 (min) at IC = -3A, VCE = -4V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TIP126TU is a high-voltage, high-current Darlington transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- It features a built-in base-emitter shunt resistor for improved performance and stability.  
- The device is housed in a TO-220 package, providing efficient thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **High DC Current Gain (hFE):** Ensures high efficiency in amplification.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances switching performance.  
- **Built-in Base-Emitter Resistor:** Improves turn-off characteristics.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting with heat sinks.  
- **Suitable for:** Power linear and switching applications, motor control, and relay drivers.  

For exact performance under specific conditions, refer to the official datasheet.

PNP Epitaxial Darlington Transistor