TIP31B

General Purpose Amplifier and Switching Applications The TIP31B is a silicon epitaxial-base NPN power transistor manufactured by Motorola. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 3A (DC)  
- **Base Current (I_B):** 1A (DC)  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W (at 25°C case temperature)  
- **Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -65°C to +150°C  

### **Electrical Characteristics (Typical):**  
- **DC Current Gain (h_FE):** 10 to 50 (at I_C = 3A, V_CE = 4V)  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.2V (max at I_C = 3A, I_B = 0.3A)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz (min)  

### **Package:**  
- **TO-220 (Plastic)**  

### **Features:**  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- High current capability (up to 3A).  
- Complementary PNP type: TIP32B.  
- Epitaxial-base construction for improved performance.  

### **Applications:**  
- Power amplification  
- Switching circuits  
- Linear regulators  
- Motor control  

This information is based on Motorola's datasheet for the TIP31B transistor.

General Purpose Amplifier and Switching Applications