Power MOSFET (P-ch single) The TJ100F04M3L is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency switching applications** in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- **Low on-resistance (R_DS(ON))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

For detailed datasheet information, refer to Toshiba’s official documentation.