Power MOSFET (P-ch single) The TJ10S04M3L is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** TO-220SIS (Small Outline)  

### **Description:**  
The TJ10S04M3L is a high-speed switching N-channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power supply circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Low gate charge for efficient drive circuit design  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TJ10S04M3L MOSFET.