Power MOSFET (P-ch single) The part **TJ30S06M3L** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TJ30S06M3L  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 80W  
- **Package:** TO-220SIS (Small Outline)  
- **RDS(ON) (Max):** 0.03Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V (Min) – 4.0V (Max)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  

### **Descriptions:**  
- The TJ30S06M3L is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The TO-220SIS package provides a compact and thermally efficient design.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on Toshiba's provided specifications for the TJ30S06M3L MOSFET.