Power MOSFET (P-ch single) The TJ60S04M3L is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Description:**  
The TJ60S04M3L is a low on-resistance N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Avalanche energy specified  
- RoHS compliant  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TJ60S04M3L MOSFET. For detailed application notes or further specifications, refer to the official Toshiba documentation.

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