Power MOSFET (P-ch single) The TJ80S04M3L is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 80A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 320A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for high current handling.  
- Fast switching performance.  
- Improved avalanche energy capability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TJ80S04M3L.