Power MOSFET (N-ch 700V<VDSS) The part **TK09H90A** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 900V  
- **Continuous Drain Current (Id):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (Idm):** 36A  
- **Power Dissipation (Pd):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±30V  
- **On-Resistance (Rds(on)):** 1.5Ω (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  

### **Descriptions:**  
- The **TK09H90A** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies and inverters.  
- The TO-220F package provides electrical isolation between the device and the heatsink.  

### **Features:**  
- **High Breakdown Voltage:** 900V rating for robust performance in high-voltage circuits.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Isolated Package:** TO-220F ensures safety in mounting and thermal management.  
- **Wide Temperature Range:** Operates reliably in harsh environments.  

This information is strictly based on the available technical data for the **TK09H90A** by **TOSHIBA**.