Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK100A06N1 is a power module manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK100A06N1  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Power Module  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 100A  
- **Package Type:** Module  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode  
- **Switching Characteristics:** High-speed switching capability  
- **Thermal Resistance:** Low thermal resistance for improved heat dissipation  
- **Isolation Voltage:** High isolation voltage for safety  

### **Descriptions:**  
- The TK100A06N1 is a high-power IGBT module designed for industrial and automotive applications.  
- It integrates an IGBT and a freewheeling diode in a single package.  
- Suitable for inverters, motor drives, and power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Efficiency:** Low conduction and switching losses.  
- **Robust Design:** High reliability under harsh operating conditions.  
- **Compact Package:** Optimized for space-saving designs.  
- **Temperature Stability:** Designed for stable performance across a wide temperature range.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba's official documentation.