Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The TK100E08N1 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK100E08N1  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Package:** TO-264  

### **Descriptions:**  
- The TK100E08N1 is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- High-speed switching capability.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Low gate charge for improved efficiency in high-frequency applications.  
- TO-264 package for enhanced thermal performance.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TK100E08N1. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official documentation.