Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK100E10N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK100E10N1  
- **Type:** Power semiconductor device (likely an IGBT or power module, but exact type not specified in Ic-phoenix technical data files).  
- **Voltage Rating:** Not explicitly stated in Ic-phoenix technical data files.  
- **Current Rating:** Not explicitly stated in Ic-phoenix technical data files.  
- **Package Type:** Module (exact form factor not specified).  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power applications, likely in industrial or automotive systems.  
- May include built-in protection features (thermal, overcurrent), but details are not confirmed in Ic-phoenix technical data files.  
- Compatible with Toshiba’s standard power module mounting and interfacing.  

For exact electrical ratings, pin configurations, or application notes, consult Toshiba’s official datasheet or product documentation.

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V)