Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK100F04K3 is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TK100F04K3  

#### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** 1000V  
- **Current Rating:** 100A  
- **Package Type:** Module (specific package details not provided in Ic-phoenix technical data files)  
- **Configuration:** Likely a single or dual IGBT module (exact configuration not specified)  

#### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for inverters, motor drives, and industrial power systems.  
- Features low saturation voltage for improved efficiency.  
- Includes built-in freewheeling diodes for protection.  
- Robust thermal performance for reliable operation in demanding environments.  

(Note: Additional technical details such as switching speed, gate charge, or thermal resistance are not provided in Ic-phoenix technical data files.)