Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK100F04K3L is a power module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TK100F04K3L  

#### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Power Module  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 100A  
- **Configuration:** 3-phase bridge (6-pack)  
- **Package Type:** Module with insulated base  
- **Switching Characteristics:** High-speed switching capability  
- **Thermal Resistance (J-C):** Provided in datasheet (exact value varies)  
- **Isolation Voltage:** Complies with industry standards (exact value in datasheet)  

#### **Descriptions:**  
- Designed for high-power applications such as motor drives, inverters, and industrial power supplies.  
- Includes built-in freewheeling diodes for improved efficiency.  
- Suitable for high-frequency switching operations.  

#### **Features:**  
- Low saturation voltage (VCE(sat)) for reduced power loss.  
- High reliability and rugged construction.  
- Optimized for thermal performance with an insulated base.  
- RoHS compliance (if applicable per model).  

For exact values (e.g., thermal resistance, switching times), refer to Toshiba’s official datasheet for the TK100F04K3L.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)