Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TK100F06K3** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 600V  
- **Current Rating (Ic):** 100A  
- **Package Type:** TO-3P  
- **Configuration:** Single IGBT with diode  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for inverters, motor control, and power supplies.  
- Includes a built-in fast recovery diode for improved efficiency.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (Vce(sat)).  
- High-speed switching performance.  
- Robust and reliable for industrial applications.  
- Low thermal resistance for better heat dissipation.  

For detailed datasheets or additional technical parameters, refer to Toshiba's official documentation.