Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK10A60D is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TK10A60D  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TK10A60D is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is suitable for use in inverters, power supplies, and motor control circuits due to its high-speed switching and low on-resistance.  

### **Features:**  
- High voltage capability (600V)  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High ruggedness and reliability  
- Suitable for high-efficiency power conversion  

This information is based on Toshiba's official documentation for the TK10A60D. For detailed application notes or reliability data, refer to Toshiba's datasheet.