Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TK10S04K3L** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 600V  
- **Current Rating (Ic):** 10A  
- **Package:** TO-247  
- **Configuration:** Single IGBT with diode  
- **Switching Speed:** High-speed switching capability  
- **Gate-Emitter Voltage (Vge):** Typically ±20V  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  
- Features low saturation voltage and high ruggedness.  

### **Features:**  
- **Low conduction loss** due to optimized IGBT structure.  
- **Fast switching** for improved efficiency.  
- **Built-in freewheeling diode** for protection.  
- **High-temperature operation** capability.  
- **TO-247 package** for better thermal performance.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba's official documentation.