Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The part **TK11A50D** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CES):** 500V  
- **Collector Current (I_C):** 11A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220F (isolated type)  

### **Descriptions:**  
- The **TK11A50D** is a high-speed switching IGBT designed for power electronics applications.  
- It features low saturation voltage and high-speed switching performance.  
- Suitable for inverters, motor control, and power supply circuits.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances reverse recovery performance.  
- **Isolated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation between the device and heatsink.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.