Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK11A55D is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W (at Ta=25°C)  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TK11A55D is designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92MOD package.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) characteristics.  
- Low saturation voltage.  
- Suitable for low-power amplification and switching circuits.  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to Toshiba’s official datasheet.