Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK11A60D is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage switching applications (up to 600V).  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling with minimal losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in rugged operating conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses and improves efficiency.  
- **TO-220AB Package:** Provides robust thermal performance and ease of mounting.  

These details are based on Toshiba's official documentation for the TK11A60D power MOSFET.