Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK11A65D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The TK11A65D is a high-voltage N-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supply and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 650V for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **TO-220F Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.