Power MOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) The TK12A50D is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-speed switching, amplification  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Collector Current (IC):** 12A  
- **Collector Power Dissipation (PC):** 40W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 (min) at IC = 6A, VCE = 2V  
- **Transition Frequency (fT):** 30MHz (min)  
- **Operating Temperature Range (Tj):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High current capability suitable for power applications.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.