Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK12A60W is a power transistor module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating (Vces):** 600V  
- **Current Rating (Ic):** 12A  
- **Power Dissipation (Pc):** 60W  
- **Package Type:** TO-247  
- **Configuration:** Single IGBT with built-in diode  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  
- Features low saturation voltage and fast switching speed.  

### **Features:**  
- Built-in freewheeling diode for improved reliability.  
- Low switching losses for high-frequency applications.  
- High current and voltage handling capability.  
- Isolated package for easy thermal management.  

This information is based solely on the available technical data for the TK12A60W module.