Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The part **TK12A65D** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 650V  
- **Current Rating (Ic):** 12A  
- **Package:** TO-220AB (Through-hole mounting)  
- **Configuration:** Single IGBT with built-in freewheeling diode  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** Typically 1.8V (at specified conditions)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supply circuits.  
- Includes an anti-parallel diode for inductive load protection.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage for reduced power loss.  
- High-speed switching performance.  
- Robust and reliable construction for industrial applications.  
- Built-in diode for improved circuit protection.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.