Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK12E60W is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power supply, motor control, and inverter applications.  
- TO-220F package for efficient heat dissipation.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  

For exact performance characteristics, refer to the official Toshiba datasheet.