Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK12P60W is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- Features low on-resistance for improved efficiency.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V drain-source voltage.  
- **Robust Design:** Suitable for industrial and automotive applications.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole package for easy mounting.  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TK12P60W.