Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK12Q60W is a power semiconductor module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Manufacturer:** Toshiba  
### **Part Number:** TK12Q60W  

#### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating (Vces):** 600V  
- **Current Rating (Ic):** 12A  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode (Half-Bridge or other configurations may apply)  
- **Package Type:** Module (specific package details depend on model variant)  

#### **Features:**  
- Low saturation voltage (Vce(sat)) for improved efficiency  
- Fast switching capability  
- Built-in freewheeling diode for inductive load protection  
- High reliability and ruggedness for industrial applications  

#### **Applications:**  
- Motor drives  
- Power supplies  
- Inverters  
- Industrial automation systems  

For exact mechanical dimensions, thermal characteristics, or additional electrical parameters, refer to Toshiba’s official datasheet for the TK12Q60W.