TK130F06K3

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK130F06K3 is a power module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Model Number:** TK130F06K3  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Power Module  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 130A  
- **Package Type:** Module  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode  
- **Switching Characteristics:** High-speed switching capability  
- **Thermal Resistance:** Low thermal resistance for efficient heat dissipation  
- **Mounting Style:** Screw or bolt mounting  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for inverters, motor drives, and industrial power systems.  
- Robust construction for reliable performance in harsh environments.  

### **Features:**  
- **High Voltage & Current Handling:** 600V, 130A rating.  
- **Low Saturation Voltage:** Improves efficiency.  
- **Built-in Diode:** Includes a freewheeling diode for protection.  
- **Isolated Base Plate:** Enhances thermal performance and electrical isolation.  
- **High Reliability:** Long operational lifespan under demanding conditions.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba’s official documentation.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)