Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK13A50D is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
1. **Type:** Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor  
2. **Application:** Designed for high-voltage switching and amplification  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO):** 1500V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 800V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 7V  
6. **Collector Current (IC):** 5A  
7. **Power Dissipation (PC):** 50W  
8. **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
9. **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
10. **DC Current Gain (hFE):** 5 to 40 (at IC = 5A, VCE = 5V)  

### **Descriptions:**
- The TK13A50D is a high-voltage NPN transistor optimized for switching applications.  
- It features a triple-diffused planar structure for improved performance and reliability.  
- Suitable for use in power supplies, inverters, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to 1500V VCBO.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 5A collector current.  
- **Robust Construction:** Designed for durability in demanding applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient switching performance.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.