Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK13A50DA is a semiconductor component manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-speed switching, amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1A  
- **Collector Dissipation (PC):** 1W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 2V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (min)  

### **Descriptions:**  
- The TK13A50DA is designed for high-speed switching and amplification in electronic circuits.  
- It is housed in a TO-92MOD package, making it suitable for compact applications.  
- Suitable for use in power management, motor control, and general-purpose amplification.  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient operation in switching circuits.  
- **High Current Gain (hFE):** Provides good amplification characteristics.  
- **Compact Package:** TO-92MOD package for space-saving designs.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.