Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The part **TK13A65D** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 650V  
- **Current Rating (Ic):** 13A  
- **Package:** TO-220AB (through-hole mounting)  
- **Configuration:** Single IGBT with diode  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Power Dissipation (Pc):** 50W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  
- Includes a built-in fast recovery diode for improved performance.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (VCE(sat)) for reduced power loss.  
- High-speed switching capability.  
- Robust short-circuit withstand time.  
- Low thermal resistance for improved heat dissipation.  

This information is based on Toshiba's technical documentation for the **TK13A65D** IGBT.