### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** Typically rated for high voltage applications (exact voltage rating not specified in Ic-phoenix technical data files).  
- **Current Rating:** Designed for high-current switching applications (exact current rating not specified in Ic-phoenix technical data files).  
- **Package Type:** Module form factor with screw or press-fit terminals for robust power handling.  
- **Switching Characteristics:** Optimized for fast switching with low conduction losses.  

### **Descriptions:**  
- A power semiconductor module used in high-efficiency switching applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- Incorporates advanced IGBT technology for improved thermal performance and reliability.  

### **Features:**  
- **High Efficiency:** Low on-state voltage drop and switching losses.  
- **Robust Construction:** Designed for industrial and high-power environments.  
- **Thermal Performance:** Enhanced heat dissipation for prolonged operation under heavy loads.  
- **Protection Features:** May include built-in temperature monitoring or short-circuit protection (specifics not detailed in Ic-phoenix technical data files).  

(Note: Exact voltage/current ratings and additional technical details may require consulting Toshiba’s official datasheet.)