TLP197G.

Photocoupler GaAs Ired & Photo-MOS FET The TLP197G is an optocoupler manufactured by Toshiba. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Phototransistor Output Optocoupler  
- **Isolation Voltage:** 3750 Vrms (min)  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 80 V  
- **Collector Current (IC):** 50 mA  
- **Current Transfer Ratio (CTR):** 50% (min) at IF = 5 mA  
- **Input Forward Current (IF):** 50 mA (max)  
- **Forward Voltage (VF):** 1.25 V (typ) at IF = 5 mA  
- **Response Time (tr/tf):** 3 μs (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +110°C  
- **Package:** SOP-4 (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- The TLP197G provides electrical isolation between input and output circuits using an infrared LED and a phototransistor.  
- It is designed for high-speed switching applications and noise immunity.  

### **Features:**  
- High isolation voltage (3750 Vrms)  
- Compact SOP-4 package for space-saving designs  
- High current transfer ratio (CTR) for efficient signal transmission  
- Fast response time for switching applications  
- Wide operating temperature range for industrial use  

This optocoupler is commonly used in applications such as signal isolation, power supply feedback, and industrial control systems.

Photocoupler GaAs Ired & Photo-MOS FET